В роботі досліджувалася динаміка зміни інтенсивності фотолюмінесценції (ІФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), які під час їх старіння на повітрі зазнають дії лазерного опромінення (337 нм, 3.7 мВт). З'ясувалося, що під впливом УФ-опромінення ІФЛ швидко зростає і через кілька годин досягає "плато". Подальше опромінення призводить до спадання інтенсивності, що пояснюється ефектом втоми люмінесценції. В той же час для зразка, що не опромінювався, ІФЛ майже не змінюється за час експерименту. Виявилося, що на етапі початкового монотонного наростання ІФЛ після короткочасного (1-2 хвилини) припинення освітлення зразка лазером на кривій еволюції ІФЛ спостерігається аномалія у вигляді невеликого сплеску вниз, тоді як на ділянках монотонного спадання кривої ІФЛ ця аномалія являє собою сплеск угору. У випадку довготривалого (десятки годин) припинення освітлення аномалія була однотипною для всіх ділянок кривої ІФЛ. Описані результати пояснюються впливом двох конкурентних факторів: втоми люмінесценції та формування під дією світла нестабільних (молекулярних) хімічних зв'язків, які можуть перетворюватися на стабільні атомні.

Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) у поруватому кремнії (ПК) при поздовжньому та поперечному напрямку прикладеного електричного поля. Одержана варісторна форма ВАХ. Крім практичного застосування вона цікава і тим, що підтвердила існування в ПК зеренної структури, вплив якої дискутується при аналізі механізму видимої люмінесценції поруватого кремнію.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е50*725.151.1

Рубрики:

Загальна ботаніка

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено виміри спектрів фотопровідності (ФП) та спектрів фотомагнітного ефекту (ФМЕ) зразків монокристалічного кремнію, які зазанали неоднорідної деформації вигину. Така деформація призводить до зменшення спаду спектра ФП у короткохвильовій області за умов освітлення поверхні зразка, яка зазанає деформації розтягу. За тих самих умов деформації форма спектрів ФМЕ зазнає змін лише у довгохвильовій області. Отримані результати пояснюються зменшенням дифузійної довжини внаслідок зменшення коефіцієнта дифузії під дією градієнта напруг.

Проведены измерения спектров фотопроводимости (ФП) и спектров фотомагнитного эффекта (ФМЭ) образцов монокристаллического кремния, которые подвергались неоднородной деформации сгиба. Такая деформация приводит к уменьшению спада спектра ФП в коротковолновой области при освещении поверхности образца, которая испытывает деформацию растяжения. При тех же условиях деформации форма спектров ФМЭ изменяется только в длинноволновой области. Полученные результаты объясняются уменьшением диффузионной длины вследствие уменьшения коэффициента диффузии под действием градиента напряжений.

Measurements of the photoconductivity (PC) and photomagnetic effect (PME) spectra of crystalline silicon were carried out for the sample under the not uniform bend deformation. This deformation causes a decrease of the photoconductivity spectrum fall in the short-wave region in illuminating the stretched surface. Under constant deformation conditions the PME spectrum form is changed only in the long-wave region. The obtained data are explained by diffusion length decreasing in consequence of decreasing the diffusion coefficient under the influence of a strain gradient.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.275

Рубрики:

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Виміряно спектри фотопровідності, фото-ЕРС і фотолюмінесценції структур поруватий кремній/c-Si підкладка. Показано, що форма спектрів фотопровідності та фото-ЕРС обумовлена головним чином об'ємними властивостями поруватого кремнію. Спостережено дві компоненти фото-ЕРС, які обумовлені матеріалом поруватого кремнію. У той же час, спостережено лише одну компоненту фотопровідності. Встановлено, що форма спектра фотопровідності залежить від величини напруги зміщення й відрізняється від форми спектра фото-ЕРС у короткохвильовій області спектра. Одержані результати пояснено в межах моделі, за якою поруватий кремній є композитною системою кремнієвих кристалітів, вмонтованих в аморфну матрицю кремнієвих сполук.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Photovoltaic properties of Si samples with Ge quantum dots were studied. Photosensitivity spectra and current-voltage characteristics at 90 and 290 K were investigated. Negative photoconductivity of samples was revealed in the spectral range of 0,6 to 1,1 eV. Irregular temperature dependence of photo-emf in the temperature interval from 100 to 250 K was measured and analyzed.

Optical properties of free electrons in the conduction band of metal are considered. It is shown that the conventional Drude theory does not take shielding of the external electrical field by mobile electrons into account. This shielding is conditioned by the polarization of these electrons. Offered is the way of taking this polarization into consideration when calculating the reflectivity of metal. It is shown that the account of polarization results in agreement between the theoretical results and experimental data.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + К663-18

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Захист металів від корозії покриттями

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6 + В378.26

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) металів і сплавів

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9 + В379.24

Рубрики:

Люмінесценція твердих тіл. Люмінесценція кристалів (кристалолюмінесценція)

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж362.063 + В379.24

Рубрики:

Фізичні властивості пористих матеріалів

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджено зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ травлених зразків залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування та, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Одержані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення й окиснення зразків.

Вивчено вплив самопоглинання та стану поверхні на спектр власної фотолюмінесценції на прикладі прямозонного напівпровідника GaAs. Одержано формулу впливу самопоглинання на спектр фотолюмінесценції напівпровідника. Враховано поглинання збуджувального світла та люмінесценції у речовині, а також дифузію носіїв та їх безвипромінювальні втрати на поверхні зразка. На підставі розрахунків показано, що внаслідок самопоглинання спектр власної фотолюмінесценції зсувається у довгохвильову область. Стан поверхні зразка практично не впливає на розміщення максимуму спектральної кривої, змінюється лише загальна інтенсивність фотолюмінесценції.